Technical parameters/polarity: | PNP |
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Technical parameters/breakdown voltage (collector emitter): | 30 V |
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Technical parameters/Maximum allowable collector current: | 3A |
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Technical parameters/minimum current amplification factor (hFE): | 160 @1A, 2V |
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Technical parameters/rated power (Max): | 1 W |
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Encapsulation parameters/installation method: | Through Hole |
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Package parameters/number of pins: | 3 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | TO-126-3 |
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Dimensions/Packaging: | TO-126-3 |
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Physical parameters/operating temperature: | 150℃ (TJ) |
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Other/Product Lifecycle: | Obsolete |
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Compliant with standards/RoHS standards: |
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Compliant with standards/lead standards: | lead-free |
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Customs information/ECCN code: | EAR99 |
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| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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B772SSG-P-AE3-R
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UTC | 功能相似 |
PNP SILICON TRANSISTOR
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KSB772YSTU
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Fairchild | 完全替代 | TO-126-3 |
PNP 晶体管,高达 30V,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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KSB772YSTU
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Freescale | 完全替代 | TO-126 |
PNP 晶体管,高达 30V,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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KSB772YSTU
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ON Semiconductor | 完全替代 | TO-126-3 |
PNP 晶体管,高达 30V,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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