Technical parameters/rated voltage (DC): | 600 V |
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Technical parameters/rated current: | 14.0 A |
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Technical parameters/rise time: | 20.0 ns |
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Technical parameters/breakdown voltage (collector emitter): | 600 V |
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Technical parameters/reverse recovery time: | 28 ns |
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Technical parameters/rated power (Max): | 49 W |
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Encapsulation parameters/installation method: | Surface Mount |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | TO-263-3 |
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Dimensions/Packaging: | TO-263-3 |
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Other/Product Lifecycle: | Unknown |
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Other/Packaging Methods: | Tube |
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Compliant with standards/RoHS standards: | Non-Compliant |
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Compliant with standards/lead standards: | Contains Lead |
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| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRG4BC15UD-SPBF
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Infineon | 完全替代 | TO-263-3 |
Co-Pack IGBT 高达 20A，Infineon Infineon 的隔离栅极双极晶体管 (IGBT) 为用户提供完整系列选项，以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用，且由于具有低切换损耗，可支持各种切换频率。 IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管，用于桥式配置 ### IGBT 晶体管，International Rectifier International Rectifier 提供全面的 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）产品组合，范围从 300V 到 1200V，采用各种技术，可最大程度降低切换和传导损耗，从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模，专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块，可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线，从而实现双面冷却，提高热敏性能、可靠性和效率。
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