Technical parameters/dissipated power: | 3.13 W |
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Technical parameters/drain source voltage (Vds): | 500 V |
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Technical parameters/rise time: | 25 ns |
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Technical parameters/Input capacitance (Ciss): | 270pF @25V(Vds) |
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Technical parameters/rated power (Max): | 3.13 W |
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Technical parameters/descent time: | 30 ns |
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Technical parameters/operating temperature (Max): | 150 ℃ |
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Technical parameters/operating temperature (Min): | -55 ℃ |
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Technical parameters/dissipated power (Max): | 63 W |
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Encapsulation parameters/installation method: | Surface Mount |
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Package parameters/number of pins: | 3 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | TO-263-3 |
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Dimensions/Length: | 9.65 mm |
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Dimensions/Width: | 10.67 mm |
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Dimensions/Height: | 4.83 mm |
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Dimensions/Packaging: | TO-263-3 |
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Other/Product Lifecycle: | Active |
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Other/Packaging Methods: | Tape & Reel (TR) |
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Compliant with standards/RoHS standards: |
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Compliant with standards/lead standards: | Lead Free |
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| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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FQB1P50TM
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ON Semiconductor | 功能相似 | TO-263-3 |
P 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor 增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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FQB1P50TM
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Fairchild | 功能相似 | TO-263-3 |
P 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor 增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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