Technical parameters/power supply voltage (DC): | 3.30 V, 3.60 V (max) |
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Technical parameters/digits: | 8 |
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Technical parameters/access time: | 55 ns |
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Technical parameters/memory capacity: | 1000000 B |
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Technical parameters/access time (Max): | 55 ns |
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Technical parameters/operating temperature (Max): | 85 ℃ |
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Technical parameters/operating temperature (Min): | 40 ℃ |
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Technical parameters/power supply voltage: | 2.5V ~ 3.6V |
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Technical parameters/power supply voltage (Max): | 3.6 V |
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Technical parameters/power supply voltage (Min): | 2.5 V |
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Encapsulation parameters/installation method: | Surface Mount |
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Package parameters/number of pins: | 32 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | TSOP-32 |
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Dimensions/Packaging: | TSOP-32 |
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Physical parameters/operating temperature: | -40℃ ~ 85℃ (TA) |
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Other/Product Lifecycle: | Obsolete |
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Other/Packaging Methods: | Tray |
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Compliant with standards/RoHS standards: | RoHS Compliant |
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Compliant with standards/lead standards: |
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Customs Information/Hong Kong Import and Export License: | NLR |
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| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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IS62WV1288BLL-55TLI
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Integrated Silicon Solution | 类似代替 | TSOP-32 |
RAM，ISSI **ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源：1.8V/3.3V/5V 提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择：x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM（静态随机存取存储器）
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IS62WV1288BLL-55TLI-TR
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Integrated Silicon Solution | 类似代替 | TSOP-32 |
静态随机存取存储器 1Mb 128Kx8 55ns Async 静态随机存取存储器
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