Technical parameters/frequency: | 200 kHz |
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Technical parameters/rated voltage (DC): | 40.0 V |
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Technical parameters/rated current: | 30.0 A |
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Technical parameters/number of pins: | 2 |
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Technical parameters/polarity: | NPN |
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Technical parameters/dissipated power: | 150 W |
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Technical parameters/breakdown voltage (collector emitter): | 40 V |
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Technical parameters/thermal resistance: | 1.17℃/W (RθJC) |
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Technical parameters/Maximum allowable collector current: | 30A |
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Technical parameters/minimum current amplification factor (hFE): | 15 @15A, 4V |
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Technical parameters/maximum current amplification factor (hFE): | 60 |
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Technical parameters/rated power (Max): | 150 W |
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Technical parameters/DC current gain (hFE): | 5 |
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Technical parameters/operating temperature (Max): | 200 ℃ |
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Technical parameters/operating temperature (Min): | -65 ℃ |
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Technical parameters/dissipated power (Max): | 150000 mW |
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Encapsulation parameters/installation method: | Through Hole |
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Package parameters/number of pins: | 2 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | TO-204-2 |
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Dimensions/Length: | 39.37 mm |
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Dimensions/Width: | 26.67 mm |
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Dimensions/Height: | 8.51 mm |
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Dimensions/Packaging: | TO-204-2 |
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Physical parameters/materials: | Silicon |
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Physical parameters/operating temperature: | -65℃ ~ 200℃ (TJ) |
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Other/Product Lifecycle: | Active |
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Other/Packaging Methods: | Tray |
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Other/Manufacturing Applications: | Industrial, Industrial |
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Compliant with standards/RoHS standards: | RoHS Compliant |
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