Technical parameters/access time: | 50 ns |
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Technical parameters/power supply voltage (Max): | 5.5 V |
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Technical parameters/power supply voltage (Min): | 2.5 V |
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Encapsulation parameters/installation method: | Surface Mount |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | TSSOP-8 |
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Dimensions/Width: | 4.4 mm |
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Dimensions/Packaging: | TSSOP-8 |
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Other/Packaging Methods: | Tube |
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Compliant with standards/RoHS standards: | RoHS Compliant |
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| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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25LC256-I/MF
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Micrel | 完全替代 | DFN-8 |
25LC256 系列 256 Kb (32 K x 8) 5.5 V 表面贴装 SPI 总线 串行 EEPROM - MLF-8
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25LC256-I/MF
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Microchip | 完全替代 | DFN-8 |
25LC256 系列 256 Kb (32 K x 8) 5.5 V 表面贴装 SPI 总线 串行 EEPROM - MLF-8
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25LC256-I/SN
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Microchip | 完全替代 | SOIC-8 |
25AA256/25LC256 SPI 串行 EEPROM Microchip 的 25AA256/25LC256 系列设备为 256K 位 SPI 串行 EEPROM，提供各种封装、温度和电源型号。 使用串行外设接口 (SPI) 提供所需的时钟输入 (SCK)、数据 (SI) 和数据输出 (SO) 信号。 这些设备的操作可通过保持引脚 (HOLD) 暂停，从而导致输入被忽略，通过芯片选择 (CS) 定义的更高优先级中断除外。 ### 特点 最大时钟 10 MHz 最大写入电流 5 mA 读取电流：6 mA（典型） 待机电流：1 μA（典型） 32,768 x 8 位组织 64 字节页面 自定时擦除和写入周期，5ms（最大） 块写入保护：保护零个、1/4 个、1/2 个或所有阵列 内置写保护：电源开/关数据保护电路、写入启用闩锁、写保护引脚 顺序读取 耐受性：>1M 擦除/写入周期 数据保留：>200 年 ESD 保护：>4000V ### EEPROM 串行存取 - Microchip
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