Technical parameters/breakdown voltage: | 10 V |
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Technical parameters/dissipated power: | 400 W |
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Technical parameters/clamp voltage: | 15.4 V |
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Technical parameters/Maximum reverse voltage (Vrrm): | 9V |
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Technical parameters/peak pulse power: | 400 W |
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Technical parameters/minimum reverse breakdown voltage: | 10 V |
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Technical parameters/operating temperature (Max): | 150 ℃ |
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Technical parameters/operating temperature (Min): | 65 ℃ |
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Encapsulation parameters/installation method: | Surface Mount |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | SMA |
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Dimensions/Packaging: | SMA |
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Physical parameters/operating temperature: | -65℃ ~ 150℃ (TJ) |
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Other/Product Lifecycle: | Unknown |
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Other/Packaging Methods: | Tape & Reel (TR) |
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Other/Manufacturing Applications: | General |
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Compliant with standards/RoHS standards: | RoHS Compliant |
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Compliant with standards/lead standards: | Contains Lead |
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| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
1SMA9.0AT3G
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Littelfuse | 类似代替 | DO-214AC |
400W 齐纳瞬态电压抑制器（单向） 齐纳瞬态电压抑制器的 ON Semiconductor SMA 系列设计用于保护电压敏感元件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力，具有 400W 高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 SMA 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
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1SMA9.0AT3G
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Z-TEK | 类似代替 |
400W 齐纳瞬态电压抑制器（单向） 齐纳瞬态电压抑制器的 ON Semiconductor SMA 系列设计用于保护电压敏感元件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力，具有 400W 高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 SMA 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
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