Technical parameters/maximum reverse breakdown voltage: | 13.7 V |
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Technical parameters/peak pulse power: | 1500 W |
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Technical parameters/minimum reverse breakdown voltage: | 12.4 V |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | DO-214AB |
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Dimensions/Packaging: | DO-214AB |
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Other/Product Lifecycle: | Active |
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Other/Minimum Packaging: | 3000 |
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Compliant with standards/RoHS standards: | RoHS Compliant |
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| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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1.5SMC13AT3G
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ON Semiconductor | 功能相似 | SMC |
1500W 齐纳瞬态电压抑制器(单向) SMC 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率 − 1500W @ 1.0ms 3 类 ESD 等级> (16kV)/人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B,用于隔离回路保护 指定了最大温度系数 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
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1.5SMC13AT3G
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Littelfuse | 功能相似 | SMC |
1500W 齐纳瞬态电压抑制器(单向) SMC 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率 − 1500W @ 1.0ms 3 类 ESD 等级> (16kV)/人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B,用于隔离回路保护 指定了最大温度系数 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
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1.5SMCJ11A
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Semikron | 功能相似 | DO-214AB |
Diode TVS Single Uni-Dir 11V 1.5kW Automotive 2Pin SMC T/R
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SMCJ11A
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JXND | 功能相似 | SMC |
SMCJ系列 18.2V 1.5kW 表面贴装 单向 瞬态电压抑制二极管 DO-214AB
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SMCJ11A
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Bourns J.W. Miller | 功能相似 | DO-214AB-2 |
SMCJ系列 18.2V 1.5kW 表面贴装 单向 瞬态电压抑制二极管 DO-214AB
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SMCJ11A
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Littelfuse | 功能相似 | DO-214AB-2 |
SMCJ系列 18.2V 1.5kW 表面贴装 单向 瞬态电压抑制二极管 DO-214AB
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Meritek | 功能相似 | DO-214AB |
SMCJ系列 18.2V 1.5kW 表面贴装 单向 瞬态电压抑制二极管 DO-214AB
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Taiwan Semiconductor | 功能相似 | SMC |
SMCJ系列 18.2V 1.5kW 表面贴装 单向 瞬态电压抑制二极管 DO-214AB
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Diotech Electronics | 功能相似 |
SMCJ系列 18.2V 1.5kW 表面贴装 单向 瞬态电压抑制二极管 DO-214AB
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AVX | 功能相似 | DO-214AB |
SMCJ系列 18.2V 1.5kW 表面贴装 单向 瞬态电压抑制二极管 DO-214AB
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