Technical parameters/operating voltage: | 11.1 V |
|
Technical parameters/breakdown voltage: | 12.4 V |
|
Technical parameters/clamp voltage: | 18.2 V |
|
Technical parameters/Maximum reverse voltage (Vrrm): | 11.1V |
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Technical parameters/test current: | 1 mA |
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Technical parameters/peak pulse power: | 1500 W |
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Technical parameters/minimum reverse breakdown voltage: | 12.4 V |
|
Technical parameters/operating temperature (Max): | 150 ℃ |
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Technical parameters/operating temperature (Min): | -65 ℃ |
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Technical parameters/operating temperature: | -65℃ ~ 150℃ |
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Encapsulation parameters/installation method: | Surface Mount |
|
Package parameters/number of pins: | 2 |
|
Encapsulation parameters/Encapsulation: | DO-214AB-2 |
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Dimensions/Packaging: | DO-214AB-2 |
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Physical parameters/operating temperature: | -65℃ ~ 150℃ (TJ) |
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Other/Product Lifecycle: | Unknown |
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Other/Packaging Methods: | Tape & Reel (TR) |
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Other/Manufacturing Applications: | General |
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Compliant with standards/RoHS standards: | Non-Compliant |
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Compliant with standards/lead standards: | Contains Lead |
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| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
1.5SMC13AT3G
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ON Semiconductor | 完全替代 | SMC |
1500W 齐纳瞬态电压抑制器（单向） SMC 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率 − 1500W @ 1.0ms 3 类 ESD 等级> (16kV)/人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B，用于隔离回路保护 指定了最大温度系数 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
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1.5SMC13AT3G
|
Littelfuse | 完全替代 | SMC |
1500W 齐纳瞬态电压抑制器（单向） SMC 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率 − 1500W @ 1.0ms 3 类 ESD 等级> (16kV)/人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B，用于隔离回路保护 指定了最大温度系数 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
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