Technical parameters/rated voltage (DC): | 30.0 V |
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Technical parameters/rated current: | 7.30 A |
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Technical parameters/polarity: | N-CH |
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Technical parameters/dissipated power: | 2.5W (Tc) |
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Technical parameters/product series: | IRF7201 |
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Technical parameters/drain source voltage (Vds): | 30 V |
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Technical parameters/Continuous drain current (Ids): | 7.30 A |
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Technical parameters/rise time: | 35.0 ns |
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Technical parameters/Input capacitance (Ciss): | 550pF @25V(Vds) |
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Technical parameters/dissipated power (Max): | 2.5W (Tc) |
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Encapsulation parameters/installation method: | Surface Mount |
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Package parameters/number of pins: | 8 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | SOIC-8 |
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Dimensions/Packaging: | SOIC-8 |
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Physical parameters/operating temperature: | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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Other/Product Lifecycle: | Obsolete |
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Other/Packaging Methods: | Tape, Tape & Reel (TR) |
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Compliant with standards/RoHS standards: |
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Compliant with standards/lead standards: |
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| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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DMG3402L-7
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Diodes | 功能相似 | SOT-23-3 |
DMG3402L-7 编带
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IRF7201PBF
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Infineon | 功能相似 | SO-8 |
INFINEON IRF7201PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 30 V, 30 mohm, 10 V, 1 V
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IRF7201TRPBF
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International Rectifier | 类似代替 | SOIC-8 |
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,Infineon HEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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IRF7201TRPBF
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IFC | 类似代替 |
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,Infineon HEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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