Technical parameters/forward voltage (Max): | 700mV @3A |
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Encapsulation parameters/installation method: | Surface Mount |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | TO-252 |
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Dimensions/Packaging: | TO-252 |
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Physical parameters/operating temperature: | -40℃ ~ 150℃ |
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Compliant with standards/RoHS standards: | Non-Compliant |
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Compliant with standards/lead standards: | Contains Lead |
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| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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NRVBD660CTRLG
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ON Semiconductor | 完全替代 | TO-252-3 |
Diode Schottky 60V 6A 3Pin DPAK T/R
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VS-MBRD650CT-M3
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Vishay Semiconductor | 完全替代 | TO-252-3 |
4A 至 9A,Vishay Semiconductor 肖特基整流器是半导体二极管,具有极低的正向电压降和非常快的切换作用。 肖特基二极管的反向恢复时间非常快。 肖特基二极管适用于需要快速切换和低功耗的应用。 ### 肖特基整流器,Vishay Semiconductor
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VS-MBRD650CT-M3
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VISHAY | 完全替代 | TO-252 |
4A 至 9A,Vishay Semiconductor 肖特基整流器是半导体二极管,具有极低的正向电压降和非常快的切换作用。 肖特基二极管的反向恢复时间非常快。 肖特基二极管适用于需要快速切换和低功耗的应用。 ### 肖特基整流器,Vishay Semiconductor
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