Technical parameters/power supply voltage (DC): | 10.0 V |
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Technical parameters/operating voltage: | 1.35V ~ 6V |
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Technical parameters/power supply current: | 600 µA |
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Technical parameters/number of circuits: | 2 |
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Technical parameters/number of channels: | 2 |
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Technical parameters/number of pins: | 8 |
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Technical parameters/Common Mode Rejection Ratio: | 115dB ~ 130dB |
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Technical parameters/input compensation drift: | 10.0 nV/K |
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Technical parameters/bandwidth: | 1.6 MHz |
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Technical parameters/conversion rate: | 1.50 V/μs |
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Technical parameters/gain bandwidth product: | 1.6 MHz |
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Technical parameters/input compensation voltage: | 1 µV |
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Technical parameters/input bias current: | 100 pA |
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Technical parameters/operating temperature (Max): | 85 ℃ |
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Technical parameters/operating temperature (Min): | -40 ℃ |
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Technical parameters/gain bandwidth: | 1.6 MHz |
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Technical parameters/Common Mode Rejection Ratio (Min): | 115 dB |
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Technical parameters/power supply voltage (Max): | 12 V |
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Technical parameters/power supply voltage (Min): | 2.7 V |
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Encapsulation parameters/installation method: | Surface Mount |
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Package parameters/number of pins: | 8 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | SOIC-8 |
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Dimensions/Length: | 4.9 mm |
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Dimensions/Width: | 3.91 mm |
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Dimensions/Height: | 1.58 mm |
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Dimensions/Packaging: | SOIC-8 |
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Physical parameters/operating temperature: | -40℃ ~ 85℃ |
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Other/Product Lifecycle: | Active |
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Other/Packaging Methods: | Tube |
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Other/Manu Alternative material
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