Technical parameters/power supply current: | 1.03 mA |
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Technical parameters/number of circuits: | 2 |
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Technical parameters/number of channels: | 2 |
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Technical parameters/number of pins: | 8 |
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Technical parameters/Common Mode Rejection Ratio: | 81 dB |
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Technical parameters/input compensation drift: | 350 nV/K |
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Technical parameters/bandwidth: | 4.5 MHz |
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Technical parameters/conversion rate: | 2.50 V/μs |
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Technical parameters/gain bandwidth product: | 4.5 MHz |
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Technical parameters/input compensation voltage: | 50 µV |
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Technical parameters/input bias current: | 0.3 pA |
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Technical parameters/operating temperature (Max): | 125 ℃ |
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Technical parameters/operating temperature (Min): | -40 ℃ |
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Technical parameters/gain bandwidth: | 4.5 MHz |
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Technical parameters/Common Mode Rejection Ratio (Min): | 81 dB |
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Technical parameters/power supply voltage: | 2.7V ~ 12V |
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Technical parameters/power supply voltage (Max): | 12V ~ 12.5V |
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Encapsulation parameters/installation method: | Surface Mount |
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Package parameters/number of pins: | 8 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | SOIC-8 |
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Dimensions/Length: | 5 mm |
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Dimensions/Width: | 4 mm |
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Dimensions/Height: | 1.5 mm |
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Dimensions/Packaging: | SOIC-8 |
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Physical parameters/operating temperature: | -40℃ ~ 125℃ |
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Other/Product Lifecycle: | Active |
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Other/Packaging Methods: | Each |
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Other/Manufacturing Applications: | Portable equipment, sensors and instruments, automotive use, signal processing |
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Compliant with standards/RoHS standards: | RoHS Comp Alternative material
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