Technical parameters/dissipated power: | 200 mW |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | SC-90 |
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Dimensions/Packaging: | SC-90 |
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Other/Product Lifecycle: | Active |
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Compliant with standards/RoHS standards: | RoHS Compliant |
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| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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Semtech Corporation | 功能相似 | SC-76 |
200mW,MM3Z-B、MM3Z-C 系列,Fairchild Semiconductor 齐纳电压容差为 2%(B 系列)和 5%(C 系列) 表面安装外壳:SOD-323F ### 齐纳二极管,Fairchild Semiconductor
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Electronics Industry | 功能相似 |
200mW,MM3Z-B、MM3Z-C 系列,Fairchild Semiconductor 齐纳电压容差为 2%(B 系列)和 5%(C 系列) 表面安装外壳:SOD-323F ### 齐纳二极管,Fairchild Semiconductor
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MM3Z8V2B
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ON Semiconductor | 功能相似 | SOD-323 |
200mW,MM3Z-B、MM3Z-C 系列,Fairchild Semiconductor 齐纳电压容差为 2%(B 系列)和 5%(C 系列) 表面安装外壳:SOD-323F ### 齐纳二极管,Fairchild Semiconductor
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EIC | 功能相似 |
200mW,MM3Z-B、MM3Z-C 系列,Fairchild Semiconductor 齐纳电压容差为 2%(B 系列)和 5%(C 系列) 表面安装外壳:SOD-323F ### 齐纳二极管,Fairchild Semiconductor
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MM3Z8V2B
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Fairchild | 功能相似 | SOD-323-2 |
200mW,MM3Z-B、MM3Z-C 系列,Fairchild Semiconductor 齐纳电压容差为 2%(B 系列)和 5%(C 系列) 表面安装外壳:SOD-323F ### 齐纳二极管,Fairchild Semiconductor
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