Technical parameters/forward voltage: | 430mV @4A |
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Encapsulation parameters/installation method: | Surface Mount |
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Package parameters/number of pins: | 2 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | DO-221BC |
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Dimensions/Packaging: | DO-221BC |
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Other/Product Lifecycle: | Active |
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Compliant with standards/RoHS standards: | RoHS Compliant |
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Compliant with standards/lead standards: | lead-free |
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| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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V8PAL45HM3/I
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Vishay Semiconductor | 类似代替 | DO-221BC-2 |
TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器，高达 20A，Vishay Semiconductor Vishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 (TMBS) 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比，TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势，且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题，从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。 ### 特点 专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 肖特基整流器，Vishay Semiconductor
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