Technical parameters/frequency: | 300 MHz |
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Technical parameters/rated voltage (DC): | 45.0 V |
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Technical parameters/rated current: | 100 mA |
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Technical parameters/number of pins: | 3 |
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Technical parameters/polarity: | NPN |
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Technical parameters/dissipated power: | 1.5 W |
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Technical parameters/breakdown voltage (collector emitter): | 45 V |
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Technical parameters/Maximum allowable collector current: | 0.1A |
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Technical parameters/minimum current amplification factor (hFE): | 420 |
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Technical parameters/rated power (Max): | 625 mW |
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Technical parameters/DC current gain (hFE): | 420 |
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Technical parameters/operating temperature (Max): | 150 ℃ |
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Technical parameters/operating temperature (Min): | -55 ℃ |
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Technical parameters/dissipated power (Max): | 625 mW |
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Encapsulation parameters/installation method: | Through Hole |
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Package parameters/number of pins: | 3 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | TO-226-3 |
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Dimensions/Length: | 5.2 mm |
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Dimensions/Width: | 4.19 mm |
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Dimensions/Height: | 5.33 mm |
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Dimensions/Packaging: | TO-226-3 |
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Physical parameters/materials: | Silicon |
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Physical parameters/operating temperature: | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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Other/Product Lifecycle: | Active |
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Other/Packaging Methods: | Tape |
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Other/Manufacturing Applications: | Power Management, Industrial, Portable Equipment, Signal Processing, Consumer Electronics, Signal Processing, Portable Devices, Power Management, Consumer Electronics |
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Compliant with standards/RoHS standards: | RoHS Compliant |
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Compliant with standards/lead standards: | Lead Free |
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