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Category: power managementDescription: 具有更高电流、电压和功率监控精度的 10V 至 80V 热插拔控制器 28-HTSSOP -40 to 1251818 -
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Category: power managementDescription: Infineon BTS436L2GATMA1, 单输出 智能电源开关, 高侧开关, 9.8A, 40V, 5引脚 TO-263封装8281 -
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Category: power managementDescription: ANALOG DEVICES ADP1048ARQZ-R7 芯片, PFC控制器, 带数字式交流计, 24QSOP2474 -
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Category: power managementDescription: ON SEMICONDUCTOR NCP1252DDR2G 控制器, PWM 反激, 28V-9V电源, 500 kHz, NSOIC-81120 -
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Category: power managementDescription: 电机控制器, H桥MOSFET, PWM 20 kHz, 2输出, 5 V至28 V电源, 5 A输出, QFN-327446 -
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Category: power managementDescription: 单端口， 40W ，符合IEEE 802.3af /在PSE控制器，内置MOSFET Single-Port, 40W, IEEE 802.3af/at PSE Controller with Integrated MOSFET7057 -
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Category: power managementDescription: SIMPLE SWITCHER 3A反激式稳压器 SIMPLE SWITCHER 3A Flyback Regulator5982 -
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Category: power managementDescription: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FAN6921MRMY 芯片, 控制器, PFC, PWM, QR, 16SOP4642 -
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Category: power managementDescription: TEXAS INSTRUMENTS UC3854DW. 控制器, PWM, 35V-15V电源, 200 kHz, 1A输出, SOIC-163351 -
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Category: power managementDescription: PFC)，Texas Instruments Texas Instruments 集成控制器，用于功率因数校正 (PFC) 预调节器且 PFC 转换器可实现近似功率因数并提供稳定、低失真正弦线路电流。 它们利用高级功能和创新过程，如量子化电压前馈、电流合成、频率振动和转换速率增强，以提供显著增强的性能。 ### 功率因数矫正 (PFC)，Texas Instruments Texas Instruments 功率因数校正 (PFC) 控制器符合 IEC61000-3-2 谐波电流限制标准。 PFC 控制器设计用于交流-直流应用，提供高功率因数 (PF)、低电流失真 (iTHD)、高效率和高功率密度。1200 -
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Category: power managementDescription: POWER INTEGRATIONS TOP227YN 开关控制器, PWM, 36V-36V电源, 100 kHz, 700V/300mA输出, TO-220-39903 -
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Category: power managementDescription: GFI) 控制器，Fairchild Semiconductor 接地故障电路中断器是低功率控制器，用于交流插座，它可检测到接地的危险电流路径和中性线接地故障。 然后，电路中断器可在出现有害或致命冲击前从电源线路断开负载。 接地故障中断器 接地漏电探测器 需要较少调节和校准 ### 接地故障中断 (GFI) 控制器，Fairchild Semiconductor5518 -
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Category: power managementDescription: LM134 / LM234 / LM334三端可调电流源 LM134/LM234/LM334 3-Terminal Adjustable Current Sources1173 -
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Category: power managementDescription: PROFET™ 智能高侧电源开关，单通道，Infineon 过载保护 电流限制 短路保护 热关闭 过电压保护 静电放电 (ESD) 保护 ### 电源和负载开关，Toshiba 集成高侧和低侧智能电源开关电路包含很多功能性和保护特征，如过电流、过电压、短路、断路负载、过温度和电源逆转。 这些高度集成设备利用低接通电阻 MOSFET 晶体管，以最小化功耗并保持高效率。8375
