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Technical parameters/forward voltage: 1 V
Technical parameters/Maximum reverse voltage (Vrrm): 30V
Technical parameters/forward current: 0.2 A
Technical parameters/maximum reverse leakage current (Ir): 2uA
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Encapsulation parameters/Encapsulation: SOD-323
External dimensions/packaging: SOD-323
Other/Minimum Packaging: 3000
Customs Information/Hong Kong Import and Export License: NLR
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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BAT54SW
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VISHAY | 类似代替 | SOT-323 |
肖特基势垒二极管，200mA 至 500mA，Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
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ON Semiconductor | 类似代替 | SOT-323 |
肖特基势垒二极管，200mA 至 500mA，Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
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Panjit | 类似代替 | SOD-323 |
肖特基势垒二极管，200mA 至 500mA，Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
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ST Microelectronics | 类似代替 | SOT-323 |
肖特基势垒二极管，200mA 至 500mA，Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
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Diotec Semiconductor | 类似代替 | SOT-323 |
肖特基势垒二极管，200mA 至 500mA，Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
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BAT54SW
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NXP | 类似代替 | SC-70 |
肖特基势垒二极管，200mA 至 500mA，Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
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BAT54SW,115
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Nexperia | 功能相似 | SOT-323-3 |
Nexperia 二极管 BAT54SW,115 肖特基, Io=200mA, Vrev=30V, 5ns, 3引脚 SOT-323 (SC-70)封装
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BAT54SW,115
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NXP | 功能相似 | SOT-323-3 |
Nexperia 二极管 BAT54SW,115 肖特基, Io=200mA, Vrev=30V, 5ns, 3引脚 SOT-323 (SC-70)封装
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BAT54SWT1G
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ON Semiconductor | 功能相似 | SOT-323-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BAT54SWT1G 小信号肖特基二极管, 双系列, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 125 °C
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