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Adapter model (0)

Technical parameters/rated voltage (DC):

60.0 V

Technical parameters/rated current:

60.0 A

Technical parameters/number of channels:

Technical parameters/number of pins:

Technical parameters/drain source resistance:

0.0115 Ω

Technical parameters/polarity:

N-Channel

Technical parameters/dissipated power:

110 W

Technical parameters/threshold voltage:

4 V

Technical parameters/Input capacitance:

1.70 nF

Technical parameters/gate charge:

75.0 nC

Technical parameters/drain source voltage (Vds):

60 V

Technical parameters/Leakage source breakdown voltage:

60 V

Technical parameters/Continuous drain current (Ids):

30.0 A

Technical parameters/rise time:

60 ns

Technical parameters/Input capacitance (Ciss):

1700pF @25V(Vds)

Technical parameters/rated power (Max):

110 W

Technical parameters/descent time:

16 ns

Technical parameters/operating temperature (Max):

175 ℃

Technical parameters/operating temperature (Min):

-55 ℃

Technical parameters/dissipated power (Max):

110W (Tc)

Encapsulation parameters/installation method:

Through Hole

Package parameters/number of pins:

Encapsulation parameters/Encapsulation:

TO-220-3

Dimensions/Length:

10.4 mm

Dimensions/Width:

4.6 mm

Dimensions/Height:

15.75 mm

Dimensions/Packaging:

TO-220-3

Physical parameters/operating temperature:

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

Other/Product Lifecycle:

Active

Other/Packaging Methods:<

Alternative material

Model	Brand	Similarity	Encapsulation	Introduction	Data manual
FQP85N06	ON Semiconductor	功能相似	TO-220-3	QFET® N 通道 MOSFET，超过 31A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。	PDF
FQP85N06	Fairchild	功能相似	TO-220-3	QFET® N 通道 MOSFET，超过 31A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。	PDF
STP60NF06	ST Microelectronics	类似代替	TO-220-3	STMICROELECTRONICS STP60NF06 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 10 V, 2 V	PDF
STP60NF06L	ST Microelectronics	类似代替	TO-220-3	N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronics STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics	PDF

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